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鍍膜電源在真空鍍膜（磁控濺射）中，脈沖偏壓電源為什么比直流電源好？
真空鍍膜一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。
鍍膜工藝生產(chǎn)和質(zhì)量控制要點
早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差。現(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
影響真空鍍膜性能的因素有哪些？
蒸發(fā)速率的大小對沉積膜層的影響比較大。由于低的沉積速率形成的涂層結(jié)構(gòu)松散易產(chǎn)大顆粒沉積，為保證涂層結(jié)構(gòu)的致密性，選擇較高的蒸發(fā)速率是十分安全的。
HiPMS利器新應(yīng)用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一種基于高熵合金設(shè)計理念的產(chǎn)物，在熱力學和動力學上可以分別具有更低的吉布斯自由能和更小的元素擴散速率，抑制了金屬間化合物有序相的生成，促進簡單固溶體結(jié)構(gòu)甚至非晶相的形成。
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（上）
高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)，由Kouznetsov1等人于1999年提出，是在脈沖功率技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種極有前途的磁控濺射技術(shù)。
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)簡介（下）
在磁控濺射技術(shù)中，可以通過控制沉積參數(shù)的變化，轉(zhuǎn)移到成膜粒子的能量，從而調(diào)控薄膜性質(zhì)28。在為生長膜提供能量的各種方法中，電離物質(zhì)的轟擊被廣泛使用29,30。
HiPIMS利器新應(yīng)用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一種基于高熵合金設(shè)計理念的產(chǎn)物，在熱力學和動力學上可以分別具有更低的吉布斯自由能和更小的元素擴散速率，抑制了金屬間化合物有序相的生成，促進簡單固溶體結(jié)構(gòu)甚至非晶相的形成。
采用脈沖直流PECVD工藝在長管內(nèi)沉積DLC膜層
管道作為一種流體運輸工具，管道內(nèi)表面經(jīng)常暴露在復雜的介質(zhì)中。這些流體中存在的污染物或腐蝕性元素會導致管道內(nèi)壁腐蝕破損，每年都會造成巨大的經(jīng)濟損失。